Rodzaj dysku: | SSD |
---|---|
Typ dysku: | Wewnętrzny |
Pojemność dysku: | 512 GB |
Interfejs: | PCI Express 4.0 x4 NVMe |
Maksymalna prędkość: | Odczytu 5100 MB/s, Zapisu 4600 MB/s |
Format: | M.2 |
Kolor: | Czarny |
- Strona główna
- Komputery i tablety
- DYSKI I NOŚNIKI DANYCH
- Dyski twarde
- Dysk GOODRAM IRDM Pro Nano 512GB SSD
Miejsce na Twoje gry

Wydajność w małej formie
GOODRAM IRDM Pro Nano to dysk zaprojektowany z myślą o użytkownikach, którzy oczekują maksymalnej wydajności w minimalnym rozmiarze. Dzięki swoim małym rozmiarom w formacie 2230 dysk IRDM Pro Nano świetnie współpracuje z konsolami handheldowymi, jak Steam Deck czy ASUS ROG Ally, zapewniając dodatkową przestrzeń na gry oraz znacząco skracając czas ładowania tytułów. Ponadto pojemność 512 GB sprawia, że zmieścisz na nim mnóstwo gier.

Ekstremalne prędkości
Dysk IRDM Pro Nano wykorzystuje interfejs PCIe NVMe Gen 4 x4, który pozwala na uzyskanie prędkości odczytu do 5100 MB/s i zapisu do 4600 MB/s. Dzięki tym parametrom instalacja gier czy przenoszenie plików zajmuje znacznie mniej czasu, a poziomy w grach ładują się błyskawicznie.

Wysoka niezawodność
GOODRAM IRDM Pro Nano to nie tylko imponująca szybkość, ale także pewność i ochrona danych. Wykorzystane technologie, takie jak ECC, thermal throttling, oraz trwałość TBW na poziomie 300 TB, sprawiają, że ten dysk oferuje długą żywotność i niezawodność w działaniu. Dodatkowo komponenty premium gwarantują stabilność i bezpieczeństwo danych nawet przy intensywnym użytkowaniu.

Zawartość opakowania
Opakowanie zawiera: dysk GOODRAM IRDM Pro Nano 512GB oraz instrukcję obsługi.
Rodzaj dysku | SSD |
Pojemność dysku | 512 GB |
Typ dysku | Wewnętrzny |
Format | M.2 |
Interfejs | PCI Express 4.0 x4 NVMe |
Maksymalna prędkość odczytu [Mb/s] | 5100 |
Maksymalna prędkość zapisu [Mb/s] | 4600 |
Inne | Maksymalna wartość IOPS odczyt: 780000 IOPS, Maksymalna wartość IOPS zapis: 920000 IOPS, MTBF: 1500000 h, Technologia SMART, Technologia TRIM, Trwałość: 300 TB (TBW) |
Dodatkowe informacje | 3D NAND, Obsługa TRIM, Technologia Bad Block Management, Technologia ECC, Technologia SMART, Technologia Thermal Throttling, Technologia Wear Leveling, Temperatura pracy: od 0 do +70 stopni Celsjusza, Temperatura przechowywania: od -40 do +85 stopni Celsjusza |
Niezawodność MTBF | 1 500 000 h |
Odczyt losowy | 780 000 IOPS |
Rodzaj kości pamięci | TLC |
Współczynnik TBW | 300 TB |
Zapis losowy | 920 000 IOPS |
Głębokość [mm] | 22 |
Szerokość [mm] | 30 |
Wysokość [mm] | 2.2 |
Waga [g] | 3 |
Kolor | Czarny |
Gwarancja | 5 lat |
Rozmiar M.2 | 2230 |
Załączona dokumentacja | Instrukcja obsługi |
Kod producenta | IRP-SSDPR-P44N-512-30 |
Nazwa | Wilk Elektronik S.A. |
Ulica i numer budynku | ul. Mikołowska 42 |
Kod pocztowy | 43-173 |
Miasto | Łaziska Górne |
Adres elektroniczny | https://www.goodram.com/en/contact/ |
Nazwa producenta/importera | GOODRAM |
Dodaj pierwszą opinię dotyczącą tego produktu.

Zakup dla pełnoletnich
Ten produkt jest tylko dla pełnoletnich. Idziesz dalej?

Zadaj pytanie
Zostaw nam swój adres email. Zapisz się na newsletter!
Obsługa klienta
Informacje
Kontakt
- Zadzwoń do nas
- pon-pt: 08:00–20:00
- sobota: 10:00–18:00
- niedziela: 10:00–18:00
- 22 122 32 00
- [email protected]
Właściciel serwisu: TERG S.A. Ul. Za Dworcem 1D, 77-400 Złotów; Spółka wpisana do Krajowego Rejestru Sądowego w Sądzie Rejonowym w Poznań-Nowe Miasto i Wilda w Poznaniu, IX Wydział Gospodarczy Krajowego Rejestru Sądowego pod nr KRS 0000427063, Kapitał zakładowy: 41 287 500,00 zł; NIP 767-10-04-218, REGON 570217011; numer rejestrowy BDO: 000135672; INFOLINIA: (22) 122 32 00.